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據(jù)悉，臺積電計劃將InFO-SoW與SoIC結合，形成CoW-SoW，在晶圓上堆疊存儲器或邏輯芯片，并預計在2027年開始量產(chǎn)。

23日訊，SK海力士將于9月臺灣國際半導體展(Semicon Taiwan)時宣布與臺積電、英偉達更緊密的合作計劃，...

據(jù)IDC報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK海力士、美光分列2024年一季度半導體IDM企業(yè)營收榜單第一、三、四...

SK海力士首席執(zhí)行官郭魯正表示，由于HBM等高性能存儲器芯片的強勁需求，存儲器芯片市場還將維持一段時間...

31日獲悉，三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。

據(jù)報道，半導體封裝公司Genesem已向芯片制造商SK海力士提供其下一代混合鍵合設備，用于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM)。

7月17日消息，《韓國經(jīng)濟日報》(Hankyung)表示，SK海力士將采用臺積電N5工藝版基礎裸片(BaseDie)構建HBM4內(nèi)存。

7月4日消息，韓媒 NewDaily 報道稱，三星電子通過了英偉達的 HBM3e(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試。三星即將開...

此前獲國家大基金投資的半導體上市公司負責人介紹稱，國家大基金三期將有望聚焦在“大型半導體制造廠以...

16日訊，SK海力士與臺積電已敲定下一代HBM的合作量產(chǎn)計劃。

14日消息，HBM負責人KimGwi-wook近日在官方公告中聲稱當前業(yè)界HBM技術已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK...

據(jù)科技媒體ZDNET Korea報道，業(yè)界消息稱，國際半導體標準組織(JEDEC)的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的...

近日，三星電子宣布，已成功開發(fā)12層HBM3E，計劃于今年上半年開始量產(chǎn)，公司并未透露具體客戶。

據(jù)報道，韓國將HBM確定為國家戰(zhàn)略技術，并將為HBM技術供應商提供稅收優(yōu)惠，如三星電子和SK海力士。

全球第二大存儲芯片制造商韓國SK海力士公司12月7日表示，已成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智...

8月3日訊，韓美半導體日前宣布開設邦德工廠，擴大其大規(guī)模TC鍵合機產(chǎn)能 (CAPA) 以滿足客戶需求。