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9月11日消息，英飛凌今日宣布成功開發(fā)出全球首個(gè)300mm(12英寸)功率GaN(氮化鎵)晶圓技術(shù)，并率先在現(xiàn)有的可擴(kuò)展大批量制造環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)。

與200mm晶圓相比，300mm晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更先進(jìn)、效率更高，更大的晶圓直徑可以提供2.3倍的芯片。

GaN基功率半導(dǎo)體正迅速應(yīng)用于工業(yè)、汽車、消費(fèi)、計(jì)算和通信應(yīng)用，包括AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)。此外，300mm晶圓通過可擴(kuò)展性確保了上級(jí)客戶供應(yīng)穩(wěn)定性。

英飛凌科技股份公司CEOJochenHanebeck在公告中稱：“這項(xiàng)技術(shù)突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購(gòu)GaNSystems近一年后，我們?cè)俅巫C明我們決心成為快速增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。作為電力系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌掌握了所有三種相關(guān)材料：硅、碳化硅和氮化鎵。”

從英飛凌公告中獲悉，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫(Villach)的功率晶圓廠中，利用現(xiàn)有的300mm硅生產(chǎn)線，成功地在集成中試生產(chǎn)線上制造出300mmGaN晶圓，并利用其在現(xiàn)有300mm硅和200mmGaN生產(chǎn)線上的成熟能力。英飛凌表示將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。